金剛石被譽為「終極半導體材料」，擁有極高的導熱性及電荷遷移率，使其成為理想的半導體材料，適用於處理器、半導體激光器及電動汽車的元件等。然而，金剛石的惰性和堅硬的晶體結構令其難以量產。

傳統合成鑽石薄膜的方法成本高、生產速度慢、尺寸受限、且表面平整度不足，嚴重限制了其商業應用與產業發展。

香港大學工程學院電機及電子工程學系的褚智勤副教授，與機械工程系林原教授帶領的團隊，成功開發出「邊緣暴露剝離」的創新技術，突破了材料科學與半導體產業數十年來的製造瓶頸，成功實現以低成本、高效率的方法，大規模生產大尺寸、超平坦且具柔性的鑽石薄膜。