中國於週五正式啟動國家創業投資引導基金，旨在動員更多「耐心資本」支持創新及未來產業。該基金由國家發展和改革委員會與財政部共同發起，並在京津冀、長三角及粵港澳大灣區設立 3 個區域基金。

國家發改委官員指出，基金將以中央財政資金為槓桿，吸引地方政府、央企、金融機構及民間投資者廣泛參與，重點支持戰略性新興及未來產業，加快培育新質生產力。基金設有 20 年存續期，並延長投資及退出週期，以提供長期資金支持。

投資策略遵循「早期投、小額投、長期投、硬科技投」原則，至少七成資金將投向種子期及初創期企業。首批投資協議已涵蓋積體電路、量子科技、生物醫藥、腦機介面、航太、人工智能、未來能源等領域。

【公告 ... ⚠️】外媒報導，美國總統特朗普政府作出反擊，美國國務院於 23 日宣布，將歐盟內推動「監管美國科技公司運動」及推動歐盟《數位服務法案》（DSA）立法的官員列入黑名單，拒絕向其發放美國簽證。

根據美國國務院的「打擊全球審查工業複合體」公告，將 5 名歐洲人士列入黑名單。這些人曾在歐盟內部參與《數位服務法案》（DSA）起草工作，被指對美國科技公司進行不公平審查，並認為這些人進入美國境內活動，將對美國外交政策造成嚴重負面影響。

因此，國土安全部已根據《移民與國籍法》237(a)(4)(C) 條對這些個人啟動遣返程序，相關人士將被驅逐出境。同時，將依《移民與國籍法》212(a)(3)(C) 條，以其對美國外交政策造成嚴重不利影響為由，禁止入境。

【有內鬼 ... 😵‍💫 】外媒報導，南韓檢方逮捕了 10 人、其中 5 名為前三星員工，指控其涉嫌向中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）洩漏三星 10nm DDR5 核心技術，協助長鑫存儲成為中國首間、亦是全球第 4 家量產 10nm 級 DRAM 記憶體顆粒的公司，令南韓造成高達數萬億韓元的經濟損失。

據南韓《中央日報》報導，被捕的前三星員工當中，部分人已任職長鑫存儲研發部門，其中一人更成為公司董事。調查過程中，檢方發現他們洩漏了數百項 10nm 級 DRAM 工藝流程資訊，使長鑫存儲得以在 2023 年生產出中國首款 10nm DRAM 晶片，包括 HBM3 及 DDR5 記憶體產品。

南韓檢方指控長鑫存儲透過招募關鍵人才，加速其 10nm DRAM 製程的研發。值得注意的是，與傳統邏輯晶片製造所使用的 10nm 製程不同，10nm DRAM 製程競爭極為激烈。SK Hynix 的第六代 10nm DRAM 製程預計要到 2024 年底才開始量產，三星本身亦投入了 1.6 兆韓元（約 10.8 億美元），歷時五年研發 10nm DRAM 技術。